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[1]吴振辉,马志斌*,谭必松,等.氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜[J].武汉工程大学学报,2009,(01):65-68.
　WU Zhen hui,MA Zhi bin,TAN Bi song,et al.Etching of CVD diamond films by oxygen plasmas[J].Journal of Wuhan Institute of Technology,2009,(01):65-68.
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氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜()
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《武汉工程大学学报》[ISSN:1674-2869/CN:42-1779/TQ]

卷:
期数:
2009年01期
页码:
65-68
栏目:
资源与土木工程
出版日期:
2009-01-28

文章信息/Info

Title:
Etching of CVD diamond films by oxygen plasmas
文章编号:
16742869(2009)01006504
作者:
吴振辉; 马志斌*; 谭必松; 郑先锋; 汪建华
武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，湖北 武汉 430074
Author(s):
WU Zhenhui; MA Zhibin; TAN Bisong; ZHENG Xianfeng; WAN Jianhua
Key Lab of Plasma Chemistry and Advanced Materials of Hubei Province，Wuhan Institute of
Chemical Technology，Wuhan 430074，China
关键词:
氧等离子体; CVD金刚石膜; 刻蚀机理
Keywords:
oxygen plasmas;  diamond film;  etching mechanism
分类号:
TQ164
DOI:
-
文献标志码:
A
摘要:
分别采用直流辉光、微波和电子回旋共振3种氧等离子体对CVD金刚石膜表面进行了刻蚀.利用扫描电子显微镜对三种等离子体刻蚀后金刚石膜表面的形貌进行了观察分析.通过对刻蚀后形貌差异的比较，探讨了它们各自的刻蚀机理，并从等离子体鞘层理论出发建立了刻蚀模型.
Abstract:
Etchings of CVD diamond films using oxygen plasmas produced by DC glow discharge，microwave discharge and electron cyclotron resonance（ECR）discharge are investigated. The surface morphologies of the diamond films before and after etching by three kinds of plasmas are analyzed using scanning electron microscopy. The etching mechanisms of etching are discussed respectively through comparing the differences of the morphology of the etched diamond films. Finally，etching models are developed according to the theories of plasma sheath.

参考文献/References:

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相似文献/References:

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期：20080616基金项目：国家自然科学基金（10875093）
作者简介：吴振辉（1983 ），男，湖北仙桃人，硕士研究生.研究方向：CVD金刚石膜的加工研究.
指导老师：马志斌，男，博士，教授，硕士生导师. 研究方向：低温等离子体技术及其应用.
更新日期/Last Update: