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[1]吴艳光１,汪　洋１,唐　丰１,等.溶胶－凝胶法制备硫化亚锡薄膜及其光电性能[J].武汉工程大学学报,2015,37(12):49-52.[doi:10. 3969/j. issn. 1674-2869. 2015. 12. 0１1]
　WANG Yang,,et al.Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｉｎ ｓｕｌｆｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｂｙ ｓｏｌ-ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｉｔｓ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ[J].Journal of Wuhan Institute of Technology,2015,37(12):49-52.[doi:10. 3969/j. issn. 1674-2869. 2015. 12. 0１1]
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溶胶－凝胶法制备硫化亚锡薄膜及其光电性能(/HTML)
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《武汉工程大学学报》[ISSN:1674-2869/CN:42-1779/TQ]

卷:
37
期数:
2015年12期
页码:
49-52
栏目:
材料科学与工程
出版日期:
2016-01-14

文章信息/Info

Title:
Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｉｎ ｓｕｌｆｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｂｙ ｓｏｌ-ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｉｔｓ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ
文章编号:
1674-2869(2015)12-0049-04
作者:
吴艳光１; 汪　洋１; 唐　丰１; 孙　剑２
１．武汉工程大学材料科学与工程学院，湖北 武汉 ４３００７４；２．中国地质大学材料与化学学院，湖北 武汉 ４３００７４
Author(s):
ＷＵ Ｙａｎ－ｇｕａｎｇ１;  WANG Yang1; ＴＡＮＧ Ｆｅｎｇ１;  ＳＵＮ Ｊｉａｎ２
１． Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， Ｗｕｈａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｗｕｈａｎ ４３００７４， Ｃｈｉｎａ；２． Ｆａｃｕｌｔｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｃｈｉｎａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｇｅｏｓｃｉｅｎｃｅｓ， Ｗｕｈａｎ ４３００７４， Ｃｈｉｎａ
关键词:
溶胶－凝胶法; 硫化亚锡; 退火温度; Ｘ射线衍射; 半导体
Keywords:
sｏｌ-ｇｅｌ;  ｔｉｎ ｓｕｌｆｉｄｅ;  ａｎｎｅａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ;  Ｘ ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ;  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
分类号:
Ｏ４８４.４
DOI:
10. 3969/j. issn. 1674-2869. 2015. 12. 0１1
文献标志码:
A
摘要:
以二水合氯化亚锡和硫脲为反应物，２－甲氧基乙醇为溶剂，单乙醇胺为稳定剂，采取溶胶－凝胶法，以玻璃片为基片制备了硫化亚锡薄膜. 采用Ｘ射线衍射、霍尔效应测试、紫外光透过测试等技术表征了硫化亚锡薄膜的性质. 结果表明：最后的退火温度对薄膜中硫化亚锡的含量和电子迁移率有较大的影响，退火温度越高，硫化亚锡的含量也就越多，薄膜中电子迁移率也升高；硫化锡对紫外光有很好的透过率，但随着硫化亚锡含量的增加，薄膜对紫外光的透过率逐渐降低. 此外，在硫与锡的物质量之比为１．２５时，硫化亚锡半导体的类型均为ｎ型；硫化锡的导电性能差，而硫化亚锡有很好的半导体性能.
Abstract:
Ｔｈｅ ｓｕｌｆｉｄｅ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｗｅｒｅ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｏｎ ｇｌａｓｓ ｂｙ ｓｏｌ-ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ， ｕｓｉｎｇ ｔｈｉｏｃａｒｂａｍｉｄｅ ａｎｄ ｔｗｏ ｓｔａｎｎｏｕｓ ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｈｙｄｒａｔｅ， ｍｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ ａｎｄ ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏａｍｉｎｅ ａｓ ｒｅａｃｔａｎｔｓ， ｓｏｌｖｅｎｔ ａｎｄ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ， ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ． Ｔｈｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｌｍｓ ｗｅｒｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄ ｂｙ Ｘ ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ， Ｈｏｌｚｅｒ ｅｆｆｅｃｔ ｔｅｓｔ ａｎｄ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｇｈｔ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｔｅｓｔ． Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ ｔｉｎ ｓｕｌｆｉｄｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｌｍｓ ａｒｅ ａｆｆｅｃｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ， ａｎｄ ｂｏｔｈ ｏｆ ｔｈｅｍ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｏｆ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ． Ｔｈｅ ｓｔａｎｎｉｃ ｓｕｌｆｉｄｅ ｈａｓ ａ ｇｏｏｄ ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ ｔｏ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｇｈｔ， ｈｏｗｅｖｅｒ， ｔｈｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｌｍｓ ｉｓ ｇｒａｄｕａｌｌｙ ｄｅｃｒｅａｓｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ ｔｉｎ ｓｕｌｆｉｄｅ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ． Ｉｎ ａｄｄｉｔｉｏｎ， ａｌｌ ｔｈｅ ｔｙｐｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｉｓ ｎ ｔｙｐｅ ｗｈｅｎ ｔｈｅ ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎ ｏｆ Ｓ/Ｓｎ ｉｓ １．２５． Ｔｈｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｔａｎｎｉｃ ｓｕｌｆｉｄｅ ｉｓ ｐｏｏｒ， ｂｕｔ ｔｈｅ ｔｉｎ ｓｕｌｆｉｄｅ ｈａｓ ｇｏｏｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．

参考文献/References:

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相似文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期:2015-10-28作者简介:吴艳光(1983-),男,湖北咸宁人,讲师,博士. 研究方向:功能材料.
更新日期/Last Update: 2016-01-20